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FQD14N15TM |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | Fairchild Semiconductor | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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FQD14N15TM参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 150V 10A DPAK 包装数量:2500 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):150V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):715pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Card EdgeGBE05DHRN 圆形VG95234A-16S-1SN 薄膜电容器ECQ-M4152KZ PMIC - 电池MCP73828-4.1VUA 单二极管/齐纳BZT52C20-7-F 存储器AT25160AY6-10YH-1.8 Card EdgeACC06DREN-S734 配件MA180016 跳线,预压接线H3AXT-10112-A4-ND 线性 - 比较器MAX913CSA |